IPC50N04S5-5R8 - аналоги и даташиты транзистора

 

IPC50N04S5-5R8 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IPC50N04S5-5R8
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 230 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0058 Ohm
   Тип корпуса: TDSON-8-33
 

 Аналог (замена) для IPC50N04S5-5R8

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPC50N04S5-5R8 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  infineon
 ipc50n04s5-5r8.pdf pdf_icon

IPC50N04S5-5R8

IPC50N04S5-5R8OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 5.8 mW ID 50 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

 4.1. Size:427K  infineon
 ipc50n04s5l-5r5.pdf pdf_icon

IPC50N04S5-5R8

IPC50N04S5L-5R5OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 5.5 mW ID 50 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

Другие MOSFET... IPB80P04P4L-08 , IPC100N04S5-1R2 , IPC100N04S5-1R9 , IPC100N04S5-2R8 , IPC100N04S5L-1R1 , IPC100N04S5L-1R5 , IPC100N04S5L-1R9 , IPC100N04S5L-2R6 , AON7410 , IPC50N04S5L-5R5 , IPC70N04S5-4R6 , IPC70N04S5L-4R2 , IPC90N04S5-3R6 , IPC90N04S5L-3R3 , IPD090N03LGE8177 , IPD100N04S4L-02 , IPD25DP06LM .

History: IPP80R360P7 | 2SK1841 | 2SK1886 | AP9467AGM | VBFB2658 | DH020N03F

 

 
Back to Top

 


 
.