IPC70N04S5L-4R2 Todos los transistores

 

IPC70N04S5L-4R2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPC70N04S5L-4R2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-33
 

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IPC70N04S5L-4R2 Datasheet (PDF)

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IPC70N04S5L-4R2

IPC70N04S5L-4R2OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 4.2 mW ID 70 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

 4.1. Size:394K  infineon
 ipc70n04s5-4r6.pdf pdf_icon

IPC70N04S5L-4R2

IPC70N04S5-4R6OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 4.6 mW ID 70 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

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History: SLU5N65S | SIE726DF

 

 
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