IPC90N04S5L-3R3 Todos los transistores

 

IPC90N04S5L-3R3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPC90N04S5L-3R3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON-8-33
 

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IPC90N04S5L-3R3 Datasheet (PDF)

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IPC90N04S5L-3R3

IPC90N04S5L-3R3OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.3 mW ID 90 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche

 4.1. Size:395K  infineon
 ipc90n04s5-3r6.pdf pdf_icon

IPC90N04S5L-3R3

IPC90N04S5-3R6OptiMOS-5 Power-TransistorProduct Summary VDS 40 V RDS(on),max 3.6 mW ID 90 A FeaturesPG-TDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified MSL1 up to 260C peak reflow1 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanch

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History: NDP7060 | FTK3N80D | IRFS644A | IXTQ120N20P | CEP04N7G | TDM3736 | JCS7HN60S

 

 
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