IPD60R2K0PFD7S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD60R2K0PFD7S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD60R2K0PFD7S

IPD60R2K0PFD7S Datasheet (PDF)

..1. Size:603K infineon
ipd60r2k0pfd7s.pdf

IPD60R2K0PFD7SMOSFETDPAK600V CoolMOS PFD7 SJ Power DeviceCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS PFD7 is an optimized platform tailored to targetcost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter,motor d

5.1. Size:1300K infineon
ipd60r2k0c6 2.0.pdf

MOSFET+

5.2. Size:938K infineon
ipd60r2k0c6.pdf

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS C6 600V600V CoolMOS C6 Power TransistorlPD60R2KOC6Data SheetRev. 2.1FinalIndustrial & Multimarket +

5.3. Size:242K inchange semiconductor
ipd60r2k0c6.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD60R2K0C6,IIPD60R2K0C6FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 600 VDSSV G

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: