IPD80R1K4P7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPD80R1K4P7
   Código: 80R1K4P7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 32 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPD80R1K4P7

IPD80R1K4P7 Datasheet (PDF)

..1. Size:971K infineon
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5.1. Size:2292K infineon
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6.1. Size:2278K infineon
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6.2. Size:243K inchange semiconductor
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Liste

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