STD3N30-1 Todos los transistores

 

STD3N30-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD3N30-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD3N30-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  1
std3n30 std3n30-1 std3n30t4.pdf pdf_icon

STD3N30-1

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 7.1. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdf pdf_icon

STD3N30-1

 7.2. Size:143K  st
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STD3N30-1

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdf pdf_icon

STD3N30-1

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

Otros transistores... STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 , IRFZ44N , STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 .

History: IRFU9212 | P1306ED | KI3055 | DH100P30CD | BUP69 | 2SK1404 | WMX4N150D1

 

 
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