Справочник MOSFET. STD3N30-1

 

STD3N30-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3N30-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STD3N30-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3N30-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  1
std3n30 std3n30-1 std3n30t4.pdfpdf_icon

STD3N30-1

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 7.1. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3N30-1

 7.2. Size:143K  st
std3n30.pdfpdf_icon

STD3N30-1

STD3N30N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N30 300 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3N30-1

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

Другие MOSFET... STD20N06-1 , STD20N06T4 , STD2N50-1 , STD2N50T4 , STD2NA60-1 , STD2NA60T4 , STD3N25-1 , STD3N25T4 , IRFZ44N , STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 .

 

 
Back to Top

 


 
.