IPF075N03LG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPF075N03LG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: TO252-3-23

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IPF075N03LG datasheet

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IPF075N03LG

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 4.1. Size:555K  infineon
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IPF075N03LG

Type IPD075N03L G IPF075N03L G IPS075N03L G IPU075N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very l

Otros transistores... IPD95R1K2P7, IPD95R450P7, IPD95R750P7, IPDD60R050G7, IPDD60R080G7, IPDD60R125G7, IPDD60R150G7, IPF060N03LG, IRF840, IPG16N10S4-61A, IPG16N10S4L-61A, IPG20N04S4-18A, IPG20N04S4L-07A, IPG20N04S4L-18A, IPG20N06S2L-50A, IPG20N06S2L-65A, IPG20N06S4L-11A