IPF075N03LG Todos los transistores

 

IPF075N03LG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPF075N03LG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 580 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-3-23
 

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IPF075N03LG Datasheet (PDF)

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IPF075N03LG

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 4.1. Size:555K  infineon
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IPF075N03LG

Type IPD075N03L G IPF075N03L GIPS075N03L G IPU075N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very l

Otros transistores... IPD95R1K2P7 , IPD95R450P7 , IPD95R750P7 , IPDD60R050G7 , IPDD60R080G7 , IPDD60R125G7 , IPDD60R150G7 , IPF060N03LG , IRF840 , IPG16N10S4-61A , IPG16N10S4L-61A , IPG20N04S4-18A , IPG20N04S4L-07A , IPG20N04S4L-18A , IPG20N06S2L-50A , IPG20N06S2L-65A , IPG20N06S4L-11A .

History: APTM50DAM38CTG | JCS1404F

 

 
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