Справочник MOSFET. IPF075N03LG

 

IPF075N03LG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPF075N03LG
   Маркировка: 075N03L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 18 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO252-3-23
 

 Аналог (замена) для IPF075N03LG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPF075N03LG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1189K  infineon
 ipd075n03lg ipd075n03lg ipf075n03lg ips075n03lg ipu075n03lg.pdf pdf_icon

IPF075N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@%>EFeaturesD S !4EF EI

 4.1. Size:555K  infineon
 ipd075n03l ipf075n03l ips075n03l ipu075n03l.pdf pdf_icon

IPF075N03LG

Type IPD075N03L G IPF075N03L GIPS075N03L G IPU075N03L GOptiMOS3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 7.5mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very l

Другие MOSFET... IPD95R1K2P7 , IPD95R450P7 , IPD95R750P7 , IPDD60R050G7 , IPDD60R080G7 , IPDD60R125G7 , IPDD60R150G7 , IPF060N03LG , IRF840 , IPG16N10S4-61A , IPG16N10S4L-61A , IPG20N04S4-18A , IPG20N04S4L-07A , IPG20N04S4L-18A , IPG20N06S2L-50A , IPG20N06S2L-65A , IPG20N06S4L-11A .

 

 
Back to Top

 


 
.