IPF075N03LG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IPF075N03LG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm

Тип корпуса: TO252-3-23

Аналог (замена) для IPF075N03LG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPF075N03LG даташит

 ..1. Size:1189K  infineon
 ipd075n03lg ipd075n03lg ipf075n03lg ips075n03lg ipu075n03lg.pdf pdf_icon

IPF075N03LG

pe % # ! % # ! %' # ! %) # ! % (>.;?6?@ %>E Features D S !4EF EI

 4.1. Size:555K  infineon
 ipd075n03l ipf075n03l ips075n03l ipu075n03l.pdf pdf_icon

IPF075N03LG

Type IPD075N03L G IPF075N03L G IPS075N03L G IPU075N03L G OptiMOS 3 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS Fast switching MOSFET for SMPS R 7.5 m DS(on),max Optimized technology for DC/DC converters I 50 A D Qualified according to JEDEC1) for target applications N-channel, logic level Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very l

Другие IGBT... IPD95R1K2P7, IPD95R450P7, IPD95R750P7, IPDD60R050G7, IPDD60R080G7, IPDD60R125G7, IPDD60R150G7, IPF060N03LG, IRF840, IPG16N10S4-61A, IPG16N10S4L-61A, IPG20N04S4-18A, IPG20N04S4L-07A, IPG20N04S4L-18A, IPG20N06S2L-50A, IPG20N06S2L-65A, IPG20N06S4L-11A