STD3NA50T4 Todos los transistores

 

STD3NA50T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD3NA50T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD3NA50T4 datasheet

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std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdf pdf_icon

STD3NA50T4

STD3NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3NA50 500 V

 6.1. Size:172K  st
std3na50.pdf pdf_icon

STD3NA50T4

STD3NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3NA50 500 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdf pdf_icon

STD3NA50T4

STD3N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3N25 250 V

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std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdf pdf_icon

STD3NA50T4

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