Справочник MOSFET. STD3NA50T4

 

STD3NA50T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3NA50T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD3NA50T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3NA50T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  1
std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdfpdf_icon

STD3NA50T4

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

 6.1. Size:172K  st
std3na50.pdfpdf_icon

STD3NA50T4

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3NA50T4

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

 9.2. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3NA50T4

Другие MOSFET... STD3N25-1 , STD3N25T4 , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , IRF540N , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 , STD5N20T4 , STD6N10-1 , STD6N10T4 .

History: IXTH02N250

 

 
Back to Top

 


 
.