STD3NA50T4 - описание и поиск аналогов

 

STD3NA50T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD3NA50T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD3NA50T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3NA50T4 даташит

 ..1. Size:172K  1
std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdfpdf_icon

STD3NA50T4

STD3NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3NA50 500 V

 6.1. Size:172K  st
std3na50.pdfpdf_icon

STD3NA50T4

STD3NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3NA50 500 V

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3NA50T4

STD3N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD3N25 250 V

 9.2. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3NA50T4

Другие MOSFET... STD3N25-1 , STD3N25T4 , STD3N30-1 , STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , IRF540 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , STD4NA40-1 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 , STD5N20T4 , STD6N10-1 , STD6N10T4 .

History: STD3N30LT4

 

 

 


 
↑ Back to Top
.