IPP015N04N6 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP015N04N6

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4000 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP015N04N6 datasheet

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IPP015N04N6

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IPP015N04N6

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IPP015N04N6

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IPP015N04N6

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IPP015N04N IIPP015N04N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.5m Enhancement mode Fast Switching Speed 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION reliable device for use in a wide variety of applications ABSOLUTE MAX

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