IPP015N04N6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IPP015N04N6
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0015 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de IPP015N04N6 MOSFET
IPP015N04N6 Datasheet (PDF)
ipp015n04n6 ipb015n04n6.pdf

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ipp015n04n.pdf

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPP015N04NIIPP015N04NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 1.5mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAX
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History: IPL60R210P6 | FDB3682
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Liste
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