IPP17N25S3-100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IPP17N25S3-100

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO220

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IPP17N25S3-100 datasheet

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IPP17N25S3-100

IPB17N25S3-100 IPP17N25S3-100 OptiMOS -T Power-Transistor Product Summary VDS 250 V RDS(on),max 100 m ID 17 A Features PG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260 C peak reflow 175 C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche tested Type Package Marking IPB17N25S3-100 PG-TO263-3-2 3N2

Otros transistores... IPP015N04N6, IPP100N12S3-05, IPP120N08S4-03, IPP120N08S4-04, IPP120N10S4-03, IPP120N10S4-05, IPP120P04P4-04, IPP120P04P4L-03, IRF830, IPP50N12S3L-15, IPP60R022S7, IPP60R090CFD7, IPP60R105CFD7, IPP60R120P7, IPP60R160P7, IPP60R210CFD7, IPP70N12S3-11