IPP17N25S3-100 Todos los transistores

 

IPP17N25S3-100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IPP17N25S3-100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 107 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IPP17N25S3-100 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IPP17N25S3-100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  infineon
 ipb17n25s3-100 ipp17n25s3-100.pdf pdf_icon

IPP17N25S3-100

IPB17N25S3-100IPP17N25S3-100OptiMOS-T Power-TransistorProduct SummaryVDS 250 VRDS(on),max 100mID 17 AFeaturesPG-TO263-3-2 PG-TO220-3-1 N-channel - Enhancement mode AEC qualified MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche testedType Package MarkingIPB17N25S3-100 PG-TO263-3-2 3N2

Otros transistores... IPP015N04N6 , IPP100N12S3-05 , IPP120N08S4-03 , IPP120N08S4-04 , IPP120N10S4-03 , IPP120N10S4-05 , IPP120P04P4-04 , IPP120P04P4L-03 , P0903BDG , IPP50N12S3L-15 , IPP60R022S7 , IPP60R090CFD7 , IPP60R105CFD7 , IPP60R120P7 , IPP60R160P7 , IPP60R210CFD7 , IPP70N12S3-11 .

History: 10N65KG-TA3-T | 10N65KG-TF3-T | 10N65KG-TF2-T | WMS17P03TS | IRFR310PBF | FQPF6N15 | OSG65R900ATF

 

 
Back to Top

 


 
.