IPT019N08N5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPT019N08N5
   Código: 019N08N5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 247 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.8 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 101 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: HSOF-8

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IPT019N08N5 Datasheet (PDF)

..1. Size:674K infineon
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IPT019N08N5MOSFETHSOFOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 2345 100% avalanche tested678 Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product vali

9.1. Size:1178K infineon
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VIPT012N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VIPT012N08N5HSOF1 DescriptionFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista

9.2. Size:1186K infineon
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MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VIPT015N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VIPT015N10N5HSOF1 DescriptionFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resis

9.3. Size:634K infineon
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IPT012N06NMOSFETHSOFOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VFeaturesTab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel1 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2345 Pb-free lead plating; RoHS compliant678 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applica

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Liste

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