IPT019N08N5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPT019N08N5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 247 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm

Тип корпуса: HSOF-8

Аналог (замена) для IPT019N08N5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT019N08N5 даташит

 ..1. Size:674K  infineon
 ipt019n08n5.pdf pdf_icon

IPT019N08N5

IPT019N08N5 MOSFET HSOF OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V Features Tab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on) 1 N-channel, normal level 2 3 4 5 100% avalanche tested 6 7 8 Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product vali

 9.1. Size:1178K  infineon
 ipt012n08n5.pdf pdf_icon

IPT019N08N5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V IPT012N08N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 V IPT012N08N5 HSOF 1 Description Features Tab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resista

 9.2. Size:1186K  infineon
 ipt015n10n5.pdf pdf_icon

IPT019N08N5

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V IPT015N10N5 Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 V IPT015N10N5 HSOF 1 Description Features Tab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resis

 9.3. Size:634K  infineon
 ipt012n06n.pdf pdf_icon

IPT019N08N5

IPT012N06N MOSFET HSOF OptiMOSTM Power-Transistor, 60 V Features Tab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel 1 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2 3 4 5 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 7 8 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPSA70R2K0CE, IPSA70R2K0P7S, IPSA70R450P7S, IPSA70R600CE, IPSA70R600P7S, IPSA70R750P7S, IPSA70R900P7S, IPT012N06N, 2N7002, IPT026N10N5, IPT029N08N5, IPT111N20NFD, IPT210N25NFD, IPT60R022S7, IPT60R028G7, IPT60R040S7, IPT60R050G7