IPW60R045P7 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPW60R045P7
   Código: 60R045P7
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 201 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 61 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPW60R045P7

IPW60R045P7 Datasheet (PDF)

..1. Size:1357K infineon
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IPW60R045P7MOSFETPG-TO 247-3600V CoolMOS P7 Power TransistorThe CoolMOS 7th generation platform is a revolutionary technology forhigh voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction(SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The 600VCoolMOS P7 series is the successor to the CoolMOS P6 series. Itcombines the benefits of a fast switching SJ MOS

5.1. Size:378K infineon
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IPW60R045CPACoolMOS Power TransistorProduct SummaryV 600 VDSR 0.045DS(on),maxQ 150 nCg,typFeatures Worldwide best R in TO247ds,on Ultra low gate chargePG-TO247-3 Extreme dv/dt rated High peak current capability Automotive AEC Q101 qualified Green package (RoHS compliant)CoolMOS CPA is specially designed for: DC/DC converters for A

5.2. Size:644K infineon
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IPW60R045CPCIMOS #:A0

5.3. Size:224K inchange semiconductor
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INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IPW60R045CP IIPW60R045CPFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)45mEnhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONHigh peak current capabilityABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: