IPZ40N04S5-8R4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IPZ40N04S5-8R4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8-32

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IPZ40N04S5-8R4

IPZ40N04S5-8R4 Datasheet (PDF)

..1. Size:323K infineon
ipz40n04s5-8r4.pdf

IPZ40N04S5-8R4OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 8.4mWID 40 AFeaturesPG-TSDSON-8-32 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

3.1. Size:317K infineon
ipz40n04s5-5r4.pdf

IPZ40N04S5-5R4OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 5.4mWID 40 AFeaturesPG-TSDSON-8-32 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

3.2. Size:311K infineon
ipz40n04s5-3r1.pdf

IPZ40N04S5-3R1OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 3.1mWID 40 AFeaturesPG-TSDSON-8-33 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Normal Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

4.1. Size:325K infineon
ipz40n04s5l-7r4.pdf

IPZ40N04S5L-7R4OptiMOS-5 Power-TransistorProduct SummaryVDS 40 VRDS(on),max 7.4mWID 40 AFeaturesPG-TSDSON-8-32 OptiMOS - power MOSFET for automotive applications N-channel - Enhancement mode - Logic Level AEC Q101 qualified1 MSL1 up to 260C peak reflow 175C operating temperature1 Green Product (RoHS compliant) 100% Avalanche teste

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: IPW65R048CFDA

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: