JMTL3415K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JMTL3415K 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.67 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
Encapsulados: SOT23
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JMTL3415K datasheet
jmtl3415k.pdf
JMTL3415K Description JMT P-channel MOSFET Features Application V =-20V, I =-4A PWM Applications DS D R =38m (Typ.) @ VGS = -4.5V Load Switch DS(ON) R =48m (Typ.) @ VGS = -2.5V Power Management DS(ON) High Power and Current Handing Capability Lead Free Product is Acquired Surface Mount Package ESD Rating HBM 2.0KV Package
jmtl3415kl.pdf
-20V, -4.1A, 32m P-channel Power Trench MOSFET JMTL3415KL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS -20 V Pb-free plating VGS(th)_Typ -0.7 V ESD Rating HBM 2.0KV ID(@VGS=10V) -4.1 A RDS(ON)_Typ(@VGS=-4.5V 24 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=-2.5V 32 mW Applications Load Switch PWM Applicat
jmtl3416ks.pdf
JMTL3416KS Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application 20V, 5A Load Switch R
jmtl3406a.pdf
30V, 4A, 39m N-channel Power Trench MOSFET JMTL3406A Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit Halogen-free; RoHS-compliant VDSS 30 V Pb-free plating VGS(th)_Typ 1.4 V ID(@VGS=10V) 4 A Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 29 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 39 mW PWM Application Power Management D G S SO
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Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
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