JST4435 Todos los transistores

 

JST4435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JST4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 327 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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JST4435 Datasheet (PDF)

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JST4435

JST4435-30V P-Channel MosfetSOP-8FEATURESRDS(ON) 23m @VGS=-10VRDS(ON)34m @VGS=-4.5VAPPLICATIONSLoad SwitchPower ManagementMARKING P-CHANNEL MOSFETYYMM:Date Code(year&month)Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CSymbol Param Max. UnitsbolV Drain-Source Voltage -30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSST = 25 -10 AC I

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 jst4406.pdf pdf_icon

JST4435

JST440630V N-Channel MosfetSOP-8FEATURESRDS(ON) 12m @VGS=10VRDS(ON) 15m @VGS=4.5VAPPLICATIONSUPSDC-DC Power ConverterMARKING N-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (TC=25 unless otherwise noted)Symbol Param Max. UnitsbolV Drain-Source Voltage 30 V DSSV Gate-Source Voltage 20 V GSST = 25 13 C I Continuous Drain Current A DT = 100 8 C

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History: WMK08N70EM | SWQI6N70DA | HRP72N06K | JCS24N50ABH | IRF7316QPBF | IRF6893MPBF | IPS09N03LA

 

 
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