Справочник MOSFET. JST4435

 

JST4435 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JST4435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 327 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для JST4435

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JST4435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:5646K  jestek
 jst4435.pdf pdf_icon

JST4435

JST4435-30V P-Channel MosfetSOP-8FEATURESRDS(ON) 23m @VGS=-10VRDS(ON)34m @VGS=-4.5VAPPLICATIONSLoad SwitchPower ManagementMARKING P-CHANNEL MOSFETYYMM:Date Code(year&month)Absolute Maximum Ratings (T =25 unless otherwise specified)CSymbol Param Max. UnitsbolV Drain-Source Voltage -30 VDSSV Gate-Source Voltage 20 VGSST = 25 -10 AC I

 9.1. Size:860K  jestek
 jst4406.pdf pdf_icon

JST4435

JST440630V N-Channel MosfetSOP-8FEATURESRDS(ON) 12m @VGS=10VRDS(ON) 15m @VGS=4.5VAPPLICATIONSUPSDC-DC Power ConverterMARKING N-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (TC=25 unless otherwise noted)Symbol Param Max. UnitsbolV Drain-Source Voltage 30 V DSSV Gate-Source Voltage 20 V GSST = 25 13 C I Continuous Drain Current A DT = 100 8 C

Другие MOSFET... JST180N30D5 , JST2300 , JST2301H , JST2302H , JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , IRF4905 , JST60N30T2 , JST80N30T2A , JST8205S , 8205S , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L .

History: AOD4156 | SIR850DP

 

 
Back to Top

 


 
.