JSM4953 Todos los transistores

 

JSM4953 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JSM4953

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.059 Ohm

Encapsulados: SOP8

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JSM4953 datasheet

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JSM4953

JSM4953 Dual P-Channel -30V(D-S) MOSFET V(BR)DSS RDS(on)MAX ID SOP-8 D2 D2 0.059 @-10V . D1 -30V -5.3A D1 0.089 @-4.5V G2 G S2 G1 S S S1 SO-8 S Pin 1 Equivalent Cir cuit D1 D2 General FEATURE TrenchFET Power MOSFET Lead free product is acquired Surface mount package G1 G2 S1 S2 MARKING APPLICATION Load Switch for Portable Devices 4953 DC/DC Conv

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