STE15N100 Todos los transistores

 

STE15N100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE15N100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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STE15N100 datasheet

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STE15N100

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STE15N100

STE15NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE15NA100 1000 V

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STE15N100

STE15NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE15NA100 1000 V

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STE15N100

STE150N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE150N10 100 V

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History: BUK7E5R2-100E | PJD5NA80 | IXFT4N100Q | STF8234 | FMH17N60ES

 

 
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