STE15N100 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE15N100 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 78 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.77 Ohm

Encapsulados: ISOTOP

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Búsqueda de reemplazo de STE15N100 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

STE15N100 datasheet

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STE15NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE15NA100 1000 V

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STE15NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE15NA100 1000 V

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STE150N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE150N10 100 V