STE15N100 - описание и поиск аналогов

 

STE15N100. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STE15N100

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 400 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 375 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 78 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.77 Ohm

Тип корпуса: ISOTOP

Аналог (замена) для STE15N100

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE15N100 даташит

 ..1. Size:259K  1
 ste15n100.pdf pdf_icon

STE15N100

 8.1. Size:64K  1
 ste15na100.pdf pdf_icon

STE15N100

STE15NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE15NA100 1000 V

 8.2. Size:80K  st
 ste15na100.pdf pdf_icon

STE15N100

STE15NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE15NA100 1000 V

 9.1. Size:153K  1
 ste150n10.pdf pdf_icon

STE15N100

STE150N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE150N10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 , STD8N10LT4 , STD8N10T4 , STE100N20 , STE150N10 , 7N65 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 , STE26N50 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.