ME08N20 Todos los transistores

 

ME08N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ME08N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74.9 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 37.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

ME08N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1163K  matsuki electric
 me08n20 me08n20-g.pdf pdf_icon

ME08N20

ME08N20/ME08N20-G N- Channel 200V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME08N20 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)0.4@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is especially tailored to Exceptional on-resist

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History: FDB3672F085 | STB28N60M2 | IRFU310 | TSM4N80CZ | ZVP4105ASTOA | IRFS640B | JFFM13N65D

 

 
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