IRF7379PBF Todos los transistores

 

IRF7379PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7379PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1(min) V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 25(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de IRF7379PBF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRF7379PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  international rectifier
 irf7379pbf.pdf pdf_icon

IRF7379PBF

PD - 95300IRF7379PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-Resistance S1 D1l Complimentary Half Bridge 2 7G1 D1VDSS 30V -30Vl Surface Mount3 6S2 D2l Fully Avalanche Rated45G2 D2l Lead-FreeP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.045 0.090Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier

 7.1. Size:349K  1
 auirf7379q.pdf pdf_icon

IRF7379PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7379Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1 Low On-Resistance VDSS 30V -30V 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.038 0.0703 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.045 0.09045G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 5.8A -4.3A Available in

 7.2. Size:245K  international rectifier
 irf7379qpbf.pdf pdf_icon

IRF7379PBF

PD - 96111IRF7379QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface MountVDSS 30V -30V3 6S2 D2l Available in Tape & Reell 150C Operating Temperature 45G2 D2P-CHANNEL MOSFETl Automotive [Q101] QualifiedRDS(on) 0.045 0.090l Lead-FreeTo

 7.3. Size:215K  international rectifier
 irf7379.pdf pdf_icon

IRF7379PBF

PD - 91625IRF7379HEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D12 7 Complimentary Half BridgeG1 D1VDSS 30V -30V Surface Mount3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated45G2 D2P-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.045 0.090Top ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced p

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRF7319PBF , IRF7324PBF , IRF7328PBF , IRF7329PBF , IRF7331PBF , IRF7341PBF , IRF7342PBF , IRF7343PBF , 5N50 , IRF7380PBF , IRF7389PBF , IRF7480MTRPBF , IRF7483MTRPBF , IRF7488PBF , IRF7503PBF , IRF7504PBF , IRF7506PBF .

History: IRFB260N | IRFB3307 | IRF7343PBF | NCEP030N85GU | IRHYB67134CM

 

 
Back to Top

 


 
.