STE250N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE250N06
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 475 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 300 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10000 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STE250N06
STE250N06 Datasheet (PDF)
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STE250N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE VDSS RDS(on) IDSTE250N06 60 V
7.1. Size:332K st
ste250ns10.pdf
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STE250NS10N-channel 100 V, 0.0045 , 220 A, ISOTOPSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTE250NS10 100 V
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