IRFH8202TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH8202TRPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.35 VQgⓘ - Carga de la puerta: 110 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1758 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00105 Ohm
Paquete / Cubierta: PQFN5X6
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFH8202TRPBF
IRFH8202TRPBF Datasheet (PDF)
irfh8202trpbf.pdf
StrongIRFETIRFH8202TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 25 VRDS(on) max 1.05 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 52 nCRG (typical) 1.3 ID 100 APQFN 5X6 mm(@TC(Bottom) = 25C)Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh8202trpbf.pdf
StrongIRFETIRFH8202TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 25 VRDS(on) max 1.05 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 52 nCRG (typical) 1.3 ID 100 APQFN 5X6 mm(@TC(Bottom) = 25C)Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
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StrongIRFETIRFH8202PbFHEXFET Power MOSFETVDS 25 VRDS(on) max 1.05 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 52 nCRG (typical) 1.3 ID 100 APQFN 5X6 mm(@TC(Bottom) = 25C)Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh8201.pdf
StrongIRFET IRFH8201PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 0.95(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.60 Qg (typical) 56 nC ID 100 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverters Features Benefits Low RDSon (
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StrongIRFET IRFH8201PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 0.95(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.60 Qg (typical) 56 nC ID 100 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverters Features Benefits Low RDSon (
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