IRFH8202TRPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFH8202TRPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.35 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 110 nC
trⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1758 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00105 Ohm
Тип корпуса: PQFN5X6
Аналог (замена) для IRFH8202TRPBF
IRFH8202TRPBF Datasheet (PDF)
irfh8202trpbf.pdf
StrongIRFETIRFH8202TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 25 VRDS(on) max 1.05 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 52 nCRG (typical) 1.3 ID 100 APQFN 5X6 mm(@TC(Bottom) = 25C)Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh8202trpbf.pdf
StrongIRFETIRFH8202TRPbFHEXFET Power MOSFETVDS 25 VRDS(on) max 1.05 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 52 nCRG (typical) 1.3 ID 100 APQFN 5X6 mm(@TC(Bottom) = 25C)Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh8202.pdf
StrongIRFETIRFH8202PbFHEXFET Power MOSFETVDS 25 VRDS(on) max 1.05 m(@VGS = 10V)Qg (typical) 52 nCRG (typical) 1.3 ID 100 APQFN 5X6 mm(@TC(Bottom) = 25C)Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverter MOSFETFeatures and BenefitsBenefitsFeaturesLow RDSon (
irfh8201.pdf
StrongIRFET IRFH8201PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 0.95(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.60 Qg (typical) 56 nC ID 100 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverters Features Benefits Low RDSon (
irfh8201pbf.pdf
StrongIRFET IRFH8201PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 25 V RDS(on) max 0.95(@ VGS = 10V) m(@ VGS = 4.5V) 1.60 Qg (typical) 56 nC ID 100 A(@TC (Bottom) = 25C) PQFN 5X6 mm Applications OR-ing MOSFET for 12V (typical) Bus in-Rush Current Battery Operated DC Motor Inverters Features Benefits Low RDSon (
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
History: BS107
History: BS107
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918