STE36N50-DA Todos los transistores

 

STE36N50-DA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STE36N50-DA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 410 W
  |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 295 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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STE36N50-DA datasheet

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STE36N50-DA

TRANSISTORS POWER MODULES BIPOLAR IN ISOTOP For other conf. VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf* Conf. Type (V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) ( s) ( s) D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15 A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1 B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1 A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12 D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35 B BUT2

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STE36N50-DA

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STE36N50-DA

STE36N50A N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE36N50A 500 V

Otros transistores... STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 , STE26N50 , STE26NA90 , STE36N50 , AO3401 , STE36N50-DK , STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , STE47N50 , STE50N40 , STE53NA50 .

 

 

 


 
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