IRLU9343-701PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRLU9343-701PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 79 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRLU9343-701PBF

IRLU9343-701PBF Datasheet (PDF)

0.1. Size:303K infineon
irlr9343pbf irlu9343pbf irlu9343-701pbf.pdf

PD - 95386ADIGITAL AUDIO MOSFETIRLR9343PbFIRLU9343PbFIRLU9343-701PbFFeaturesl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m150 EfficiencyQg typ.l Low

2.1. Size:248K international rectifier
irlu9343-701 irlr9343.pdf

PD - 95850DIGITAL AUDIO MOSFETIRLR9343IRLU9343IRLU9343-701Featuresl Advanced Process TechnologyKey Parametersl Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier ApplicationsVDS-55 Vl Low RDSON for Improved EfficiencyRDS(ON) typ. @ VGS = -10V m:93l Low Qg and Qsw for Better THD and ImprovedRDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m:150 EfficiencyQg typ.l Low Qrr for

6.1. Size:303K international rectifier
irlr9343pbf irlu9343pbf.pdf

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Liste

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