IRLU9343-701PBF - описание и поиск аналогов

 

IRLU9343-701PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRLU9343-701PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 79 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IRLU9343-701PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRLU9343-701PBF даташит

 0.1. Size:303K  international rectifier
 irlr9343pbf irlu9343pbf irlu9343-701pbf.pdf pdf_icon

IRLU9343-701PBF

PD - 95386A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low

 2.1. Size:248K  international rectifier
 irlu9343-701 irlr9343.pdf pdf_icon

IRLU9343-701PBF

PD - 95850 DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343 IRLU9343 IRLU9343-701 Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low Qrr for

 6.1. Size:303K  international rectifier
 irlr9343pbf irlu9343pbf.pdf pdf_icon

IRLU9343-701PBF

PD - 95386A DIGITAL AUDIO MOSFET IRLR9343PbF IRLU9343PbF IRLU9343-701PbF Features l Advanced Process Technology Key Parameters l Key Parameters Optimized for Class-D Audio Amplifier Applications VDS -55 V l Low RDSON for Improved Efficiency RDS(ON) typ. @ VGS = -10V m 93 l Low Qg and Qsw for Better THD and Improved RDS(ON) typ. @ VGS = -4.5V m 150 Efficiency Qg typ. l Low

Другие MOSFET... IRL40B209 , IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , IRL60HS118 , IRL60SC216 , IRL80HS120 , IRLI530NPBF , AOD4184A , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.