ISP25DP06NM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ISP25DP06NM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ISP25DP06NM

ISP25DP06NM Datasheet (PDF)

..1. Size:1172K infineon
isp25dp06nm.pdf

ISP25DP06NMMOSFETSOT-223-4OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures 4 P-Channel Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Normal Level1 Enhancement mode2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDrainPin 2

5.1. Size:741K infineon
isp25dp06lms.pdf

ISP25DP06LMSMOSFETPG-SOT223-3OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified according to JEDEC StandardDrainPin 2GateTable 1 Key

5.2. Size:1152K infineon
isp25dp06lm.pdf

ISP25DP06LMMOSFETSOT-223-4OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures 4 P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level1 Enhancement mode2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applications

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Liste

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