ISP25DP06NM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: ISP25DP06NM
Código: 25DP06NM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 10.8 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
Búsqueda de reemplazo de MOSFET ISP25DP06NM
ISP25DP06NM Datasheet (PDF)
isp25dp06nm.pdf
ISP25DP06NMMOSFETSOT-223-4OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures 4 P-Channel Very low on-resistance RDS(on) 100% avalanche tested Normal Level1 Enhancement mode2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDrainPin 2
isp25dp06lms.pdf
ISP25DP06LMSMOSFETPG-SOT223-3OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationQualified according to JEDEC StandardDrainPin 2GateTable 1 Key
isp25dp06lm.pdf
ISP25DP06LMMOSFETSOT-223-4OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 VFeatures 4 P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level1 Enhancement mode2 Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 3Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applications
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Liste
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