2SK1989 Todos los transistores

 

2SK1989 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SK1989
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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2SK1989 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  1
 2sk1988 2sk1989.pdf pdf_icon

2SK1989

 8.1. Size:31K  panasonic
 2sk1980.pdf pdf_icon

2SK1989

Power F-MOS FETs 2SK19802SK1980Silicon N-Channel Power F-MOSUnit : mm FeaturesAvalanche energy capability guaranteed : EAS > 15mJ3.4 0.38.5 0.26.0 0.5 1.0 0.1 VGSS=30V guaranteedHigh-speed switching : tf= 25nsNo secondary breakdown1.5max. 1.1max. ApplicationsNon-contact relay0.8 0.1 0.5max.Solenoid drive 2.54 0.3Motor drive5.08 0.5Control

 8.2. Size:31K  panasonic
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2SK1989

Silicon Junction FETs (Small Signal) 2SK1982SK198Silicon N-Channel JunctionUnit : mmFor low-frequency amplification+0.22.8 0.3+0.250.65 0.15 1.5 0.05 0.65 0.15 Features High mutual conductance gm1 Low noise type Downsizing of sets by mini-type package and automatic insertion by3taping/magazine packing are available.2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25

 8.3. Size:249K  fuji
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2SK1989

FUJI POWER MOSFET2SK1986-01N-CHANNEL SILICON POWER MOSFETFAP-IIA SERIESOutline DrawingsFeaturesHigh speed switchingTO-220ABLow on-resistanceNo secondary breakdownLow driving powerHigh voltageVGS=30V GuaranteeAvalanche-proofApplicationsSwitching regulatorsUPS3. Source DC-DC convertersJEDEC TO-220ABGeneral purpose power amplifierEIAJ SC-46Equivalent c

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History: CS8N80A8D | FW342-TL

 

 
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