2SK1989. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SK1989

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для 2SK1989

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK1989 даташит

 ..1. Size:433K  1
 2sk1988 2sk1989.pdf pdf_icon

2SK1989

 8.1. Size:31K  panasonic
 2sk1980.pdf pdf_icon

2SK1989

Power F-MOS FETs 2SK1980 2SK1980 Silicon N-Channel Power F-MOS Unit mm Features Avalanche energy capability guaranteed EAS > 15mJ 3.4 0.3 8.5 0.2 6.0 0.5 1.0 0.1 VGSS= 30V guaranteed High-speed switching tf= 25ns No secondary breakdown 1.5max. 1.1max. Applications Non-contact relay 0.8 0.1 0.5max. Solenoid drive 2.54 0.3 Motor drive 5.08 0.5 Control

 8.2. Size:31K  panasonic
 2sk198.pdf pdf_icon

2SK1989

 8.3. Size:249K  fuji
 2sk1986-01.pdf pdf_icon

2SK1989

FUJI POWER MOSFET 2SK1986-01 N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET FAP-IIA SERIES Outline Drawings Features High speed switching TO-220AB Low on-resistance No secondary breakdown Low driving power High voltage VGS= 30V Guarantee Avalanche-proof Applications Switching regulators UPS 3. Source DC-DC converters JEDEC TO-220AB General purpose power amplifier EIAJ SC-46 Equivalent c

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... 2SK193, 2SK195, 2SK1953, 2SK1954, 2SK1958, 2SK1959, 2SK1960, 2SK1988, 8205A, 2SK1990, 2SK1991, 2SK1992, 2SK1993, 2SK1994, 2SK1995, 2SK2000-R, 2SK2040