STE40N55 Todos los transistores

 

STE40N55 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STE40N55
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP
 

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STE40N55 datasheet

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STE40N55

STE40NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE40NA60 600 V

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STE40N55

STE40NC60 N-CHANNEL 600V - 0.098 - 40A ISOTOP PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STE40NC60 600V

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STE40N55

STE40NK90ZD N-channel 900V - 0.14 - 40A ISOTOP Super FREDmesh MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID Pw STE40NK90ZD 900V

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STE40N55

STE40NA60 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE40NA60 600 V

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History: STH4N90FI

 

 

 


 
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