ISZ019N03L5S Todos los transistores

 

ISZ019N03L5S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISZ019N03L5S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL
 

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ISZ019N03L5S Datasheet (PDF)

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 isz019n03l5s.pdf pdf_icon

ISZ019N03L5S

ISZ019N03L5SMOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM Power-MOSFET, 30 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA) Very Low FOM for High Frequency SMPSQOSS Low FOM for High Frequency SMPSSW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Superior thermal resistan

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History: NDB708A | PSMN3R3-60PL

 

 
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