ISZ019N03L5S. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ISZ019N03L5S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 6.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0019 Ohm
Тип корпуса: TSDSON-8FL
Аналог (замена) для ISZ019N03L5S
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ISZ019N03L5S даташит
isz019n03l5s.pdf
ISZ019N03L5S MOSFET TSDSON-8 FL OptiMOSTM Power-MOSFET, 30 V (enlarged source interconnection) Features Optimized for high performance Buck converter (Server,VGA) Very Low FOM for High Frequency SMPS QOSS Low FOM for High Frequency SMPS SW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Superior thermal resistan
Другие MOSFET... IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM , IRF3205 , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS , ISZ065N03L5S , ISZ0901NLS , SIHFP450A , SIHFP450LC , SIHFP460LC , LPM2301B3F .
History: ISS17EP06LM | WML10N65D1B | WML10N70D1
History: ISS17EP06LM | WML10N65D1B | WML10N70D1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644

