ISZ0501NLS Todos los transistores

 

ISZ0501NLS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ISZ0501NLS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSDSON-8FL
 

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ISZ0501NLS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  infineon
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ISZ0501NLS

ISZ0501NLSMOSFETTSDSON-8 FLOptiMOSTM 5 Power-MOSFET, 25 V(enlarged source interconnection)Features Optimized for charger applications Very Low FOM for High Frequency SMPSQOSS Low FOM for High Frequency SMPSSW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested N-channel Pb-free

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History: PHD14NQ20T | APT37M100B2 | BLF881S | SUB60N06-18 | TK20J50D | PHB112N06T | BLL1214-250

 

 
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