LPM2302B3F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPM2302B3F
Código: A2sHB
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.25 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 3.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 4.2 nC
Tiempo de subida (tr): 8 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.05(typ) Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de MOSFET LPM2302B3F
LPM2302B3F Datasheet (PDF)
lpm2302b3f.pdf
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lpm2301b3f.pdf
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Preliminary Datasheet LPM2301 LPM2301 -20V/-2A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m(typ.)@VGS=-2.5V The LPM2301 is the P-channel logic enhancement -20V/-2.0A,RDS(ON)=130m(typ.)@VGS=-4.5V mode power field effect transistors are produced Super high density cell design for extremely low using high
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