LPM2302B3F Todos los transistores

 

LPM2302B3F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPM2302B3F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05(typ) Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

 Búsqueda de reemplazo de LPM2302B3F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LPM2302B3F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  lowpower
 lpm2302b3f.pdf pdf_icon

LPM2302B3F

Preliminary Datasheet LPM2302 LPM2302 20V/3.5A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The LPM2302 is N-channel logic enhancement mode 20V/3.5A, RDS(ON)=50m(Typ.)@VGS=4.5V power field effect transistor, which are produced by 20V/3.0A, R =75m(Typ.)@V =2.5V DS(ON) GSusing high cell density, DMOS trench technology. Sup

 8.1. Size:229K  lowpower
 lpm2301b3f.pdf pdf_icon

LPM2302B3F

Preliminary Datasheet LPM2301 LPM2301 -20V/-2A P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features -20V/-2.0A,RDS(ON)=170m(typ.)@VGS=-2.5V The LPM2301 is the P-channel logic enhancement -20V/-2.0A,RDS(ON)=130m(typ.)@VGS=-4.5V mode power field effect transistors are produced Super high density cell design for extremely low using high

Otros transistores... ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS , ISZ065N03L5S , ISZ0901NLS , SIHFP450A , SIHFP450LC , SIHFP460LC , LPM2301B3F , IRFP460 , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F , LPM3413 , LPM4953 , LPM8205B6F , LPM8205TSF , LPM9021QVF .

History: AOD2916 | SSI1N50A | SMG2398NE | GT4953 | SSG4902NA

 

 
Back to Top

 


 
.