LPM8205TSF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPM8205TSF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: TSSOP-8
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LPM8205TSF datasheet
lpm8205b6f lpm8205tsf.pdf
Preliminary Datasheet LPM8205 Dual N -Channel Enhancement Power MOSFET General Description Features 100% EAS Guaranteed The LPM8205 integrates two N-Channel Green Device Available EnhancementMOSFET Transistor. It uses advanced trenchtechnology and design to provide Super Low Gate Charge excellentR with lowgate charge. This device is DS(ON) Excellent CdV/dt e
Otros transistores... LPM2301B3F , LPM2302B3F , LPM3401 , LPM3406B3F , LPM3400B3F , LPM3413 , LPM4953 , LPM8205B6F , IRFB4227 , LPM9021QVF , LPM9029C , LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF , LPM9040A , LPM9042 .
History: 2SK2417 | FDD6644
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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