LPM9926SOF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPM9926SOF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Encapsulados: SOP8
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LPM9926SOF datasheet
lpm9926.pdf
Preliminary Datasheet LPM9926 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Features 100% EAS Guaranteed The LPM9926 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and Green Device Available DS(ON) operation with gate voltages as low as 1.8V while Super Low Gate Charge retaining a 12V V rating. This device is suitable GS(MAX) Excelle
Otros transistores... LPM9029C , LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF , LPM9040A , LPM9042 , LPM9435 , IRF630 , 2KJ7107DFN , 2KK5016 , AO6401-HF , FDC2512-HF , FDC3612-HF , KI2302 , KI2303 , KI2308DS .
History: AO6602G | DH012N03I | ME2309
History: AO6602G | DH012N03I | ME2309
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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