LPM9926SOF Todos los transistores

 

LPM9926SOF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LPM9926SOF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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LPM9926SOF Datasheet (PDF)

 7.1. Size:948K  lowpower
 lpm9926.pdf pdf_icon

LPM9926SOF

Preliminary Datasheet LPM9926 20V Dual N-Channel MOSFET General Description Features 100% EAS Guaranteed The LPM9926 uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and Green Device Available DS(ON)operation with gate voltages as low as 1.8V while Super Low Gate Charge retaining a 12V V rating. This device is suitable GS(MAX) Excelle

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