2KJ7107DFN Todos los transistores

 

2KJ7107DFN MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2KJ7107DFN

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.21 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 95 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: DFN2X2-6L

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2KJ7107DFN datasheet

 ..1. Size:210K  kexin
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2KJ7107DFN

SMD Type MOSFET P-channel MOSFET 2KJ7107DFN DFN2X2-6L Features VDS (V) = -20V ID = -6.0A Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology DFN2X2-6L bottom view 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection D G S Absolute Maximum Ratings (TA = 25 Unless otherwise noted) Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Vo

Otros transistores... LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF , LPM9040A , LPM9042 , LPM9435 , LPM9926SOF , IRF9540 , 2KK5016 , AO6401-HF , FDC2512-HF , FDC3612-HF , KI2302 , KI2303 , KI2308DS , KI2312 .

History: ME2306A | SM3319NSQG | DH012N03D | AP4506GEM-HF

 

 

 

 

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