2KJ7107DFN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2KJ7107DFN
   Código: JAN
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.21 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 8 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 0.95 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 95 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2-6L

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2KJ7107DFN Datasheet (PDF)

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2kj7107dfn.pdf

SMD Type MOSFETP-channel MOSFET2KJ7107DFNDFN2X2-6L Features VDS (V) = -20V ID = -6.0A Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technologyDFN2X2-6L bottom view 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protectionD GS Absolute Maximum Ratings (TA = 25 Unless otherwise noted)Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source VoltageVDS -20V Gate-Source Vo

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Liste

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