2KJ7107DFN - аналоги и даташиты транзистора

 

2KJ7107DFN - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2KJ7107DFN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
 

 Аналог (замена) для 2KJ7107DFN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2KJ7107DFN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  kexin
 2kj7107dfn.pdf pdf_icon

2KJ7107DFN

SMD Type MOSFETP-channel MOSFET2KJ7107DFNDFN2X2-6L Features VDS (V) = -20V ID = -6.0A Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technologyDFN2X2-6L bottom view 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protectionD GS Absolute Maximum Ratings (TA = 25 Unless otherwise noted)Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source VoltageVDS -20V Gate-Source Vo

Другие MOSFET... LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF , LPM9040A , LPM9042 , LPM9435 , LPM9926SOF , K3569 , 2KK5016 , AO6401-HF , FDC2512-HF , FDC3612-HF , KI2302 , KI2303 , KI2308DS , KI2312 .

History: IPI80N06S2L-11 | IRFTS8342PBF

 

 
Back to Top

 


 
.