Справочник MOSFET. 2KJ7107DFN

 

2KJ7107DFN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2KJ7107DFN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.21 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

2KJ7107DFN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  kexin
 2kj7107dfn.pdf pdf_icon

2KJ7107DFN

SMD Type MOSFETP-channel MOSFET2KJ7107DFNDFN2X2-6L Features VDS (V) = -20V ID = -6.0A Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technologyDFN2X2-6L bottom view 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protectionD GS Absolute Maximum Ratings (TA = 25 Unless otherwise noted)Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source VoltageVDS -20V Gate-Source Vo

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AOW7S65 | AOTL66810 | HM3205B | AOWF11N60 | 2N0609 | 2300F | AOU7S60

 

 
Back to Top

 


 
.