2KJ7107DFN - описание и поиск аналогов

 

2KJ7107DFN. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2KJ7107DFN

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для 2KJ7107DFN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2KJ7107DFN даташит

 ..1. Size:210K  kexin
 2kj7107dfn.pdf pdf_icon

2KJ7107DFN

SMD Type MOSFET P-channel MOSFET 2KJ7107DFN DFN2X2-6L Features VDS (V) = -20V ID = -6.0A Low threshold voltage Very fast switching Trench MOSFET technology DFN2X2-6L bottom view 2 kV ElectroStatic Discharge (ESD) protection D G S Absolute Maximum Ratings (TA = 25 Unless otherwise noted) Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Vo

Другие MOSFET... LPM9030 , LPM9031SOF , LPM9031QVF , LPM9033QVF , LPM9040A , LPM9042 , LPM9435 , LPM9926SOF , IRF9540 , 2KK5016 , AO6401-HF , FDC2512-HF , FDC3612-HF , KI2302 , KI2303 , KI2308DS , KI2312 .

History: 2SK321

 

 

 

 

↑ Back to Top
.