2KK5016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2KK5016
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.238 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT523
- Selección de transistores por parámetros
2KK5016 Datasheet (PDF)
2kk5016.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2KK5016SOT-523 Unit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1 Features+0.050.2 -0.05 0.150.05 VDS =20 V2 1 ID = 238 mA Rdson =1.5 @Vgs=4.5V (Typ.) Low Gate Charge for Fast Switching3 ESD Protected Gate0.30.050.5+0.1-0.11. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings (TA =25 )Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Vo
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History: SMC3407 | BLF6G27-100 | FMP30N60S1 | HCFL60R190
History: SMC3407 | BLF6G27-100 | FMP30N60S1 | HCFL60R190



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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