2KK5016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2KK5016
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 0.3 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.238 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.5 V
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 10 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523

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2KK5016 Datasheet (PDF)

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2kk5016.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2KK5016SOT-523 Unit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1 Features+0.050.2 -0.05 0.150.05 VDS =20 V2 1 ID = 238 mA Rdson =1.5 @Vgs=4.5V (Typ.) Low Gate Charge for Fast Switching3 ESD Protected Gate0.30.050.5+0.1-0.11. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings (TA =25 )Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Vo

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Liste

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