2KK5016 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 2KK5016
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.238 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT523

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 2KK5016

2KK5016 Datasheet (PDF)

..1. Size:449K kexin
2kk5016.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2KK5016SOT-523 Unit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1 Features+0.050.2 -0.05 0.150.05 VDS =20 V2 1 ID = 238 mA Rdson =1.5 @Vgs=4.5V (Typ.) Low Gate Charge for Fast Switching3 ESD Protected Gate0.30.050.5+0.1-0.11. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings (TA =25 )Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Vo

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