Справочник MOSFET. 2KK5016

 

2KK5016 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2KK5016
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.238 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: SOT523

 Аналог (замена) для 2KK5016

 

 

2KK5016 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:449K  kexin
 2kk5016.pdf

2KK5016 2KK5016

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2KK5016SOT-523 Unit: m m+0.11.6 -0.1+0.11.0 -0.1 Features+0.050.2 -0.05 0.150.05 VDS =20 V2 1 ID = 238 mA Rdson =1.5 @Vgs=4.5V (Typ.) Low Gate Charge for Fast Switching3 ESD Protected Gate0.30.050.5+0.1-0.11. Gate2. Source3. Drain Absolute Maximum Ratings (TA =25 )Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Vo

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top