AO6401-HF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO6401-HF
   Código: D1*
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.047 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO6401-HF

AO6401-HF Datasheet (PDF)

..1. Size:2477K kexin
ao6401-hf ko6401-hf.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6401-HF (KO6401-HF)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) =-30V ID =-5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 47m (VGS =-10V) RDS(ON) 64m (VGS =-4.5V) 2 31+0.020.15 -0.02 RDS(ON) 85m (VGS =-2.5V) +0.01-0.01 Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a+0.2-0.1Pb-Free

8.1. Size:516K aosemi
ao6401.pdf

AO640130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO6401 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -5Avoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS=-10V)

8.2. Size:237K aosemi
ao6401a.pdf

AO6401A30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO6401A uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-10V) -5Awith gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable RDS(ON) (at VGS=-10V)

8.3. Size:1723K kexin
ao6401.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6401 (KO6401)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) =-30V ID =-5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 47m (VGS =-10V) RDS(ON) 64m (VGS =-4.5V) 2 31+0.020.15 -0.02 RDS(ON) 85m (VGS =-2.5V) +0.01-0.01+0.2-0.1DD1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 DrainGGSS Abso

8.4. Size:2465K kexin
ao6401a.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6401A (KO6401A)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) =-30V ID =-5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 47m (VGS =-10V) RDS(ON) 64m (VGS =-4.5V) 2 31+0.020.15 -0.02 RDS(ON) 85m (VGS =-2.5V) +0.01-0.01+0.2-0.1DD1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 DrainGGSS Ab

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Liste

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