AO6401-HF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO6401-HF
Маркировка: D1*
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
trⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.047 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
AO6401-HF Datasheet (PDF)
ao6401-hf ko6401-hf.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6401-HF (KO6401-HF)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) =-30V ID =-5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 47m (VGS =-10V) RDS(ON) 64m (VGS =-4.5V) 2 31+0.020.15 -0.02 RDS(ON) 85m (VGS =-2.5V) +0.01-0.01 Pb-Free Package May be Available. The G-Suffix Denotes a+0.2-0.1Pb-Free
ao6401.pdf
AO640130V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO6401 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate ID (at VGS=-10V) -5Avoltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao6401a.pdf
AO6401A30V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS-30VThe AO6401A uses advanced trench technology toprovide excellent RDS(ON), low gate charge and operation ID (at VGS=-10V) -5Awith gate voltages as low as 2.5V. This device is suitable RDS(ON) (at VGS=-10V)
ao6401.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6401 (KO6401)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) =-30V ID =-5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 47m (VGS =-10V) RDS(ON) 64m (VGS =-4.5V) 2 31+0.020.15 -0.02 RDS(ON) 85m (VGS =-2.5V) +0.01-0.01+0.2-0.1DD1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 DrainGGSS Abso
ao6401a.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO6401A (KO6401A)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) =-30V ID =-5 A (VGS =-10V) RDS(ON) 47m (VGS =-10V) RDS(ON) 64m (VGS =-4.5V) 2 31+0.020.15 -0.02 RDS(ON) 85m (VGS =-2.5V) +0.01-0.01+0.2-0.1DD1 Drain 4 Source2 Drain 5 Drain3 Gate 6 DrainGGSS Ab
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: 2SK2603
History: 2SK2603
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918