KI4435DY MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: KI4435DY
   Código: 4435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET KI4435DY

KI4435DY Datasheet (PDF)

..1. Size:464K kexin
si4435dy ki4435dy.pdf

SMD Type MOSFETSMD TypeP-Channel MOSFETSI4435DY (KI4435DY)SOP-8 Features VDS=-30V RDS(on)=0.02@VGS=-10V1.50 0.15 RDS(on)=0.035@VGS=-4.5VSS D1 8GS D2 7S D3 6G D4 5DTop View Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS -30 VGate-Source Voltage VGS 20 VContinuous Drain Current ID

9.1. Size:53K kexin
ki4433dy.pdf

SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETKI4433DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETSFast Switching100% Rg TestedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage VGS 8TA =25 -3.9 -2.9Continuous Drain Current (TJ =150 ) * IDTA =85 -2.8 -2.1 APulsed Drain Current IDM -10Continuous Sourc

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: