KI4435DY MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: KI4435DY
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Encapsulados: SOP8
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KI4435DY datasheet
si4435dy ki4435dy.pdf
SMD Type MOSFET SMD Type P-Channel MOSFET SI4435DY (KI4435DY) SOP-8 Features VDS=-30V RDS(on)=0.02 @VGS=-10V 1.50 0.15 RDS(on)=0.035 @VGS=-4.5V S S D 1 8 G S D 2 7 S D 3 6 G D 4 5 D Top View Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -30 V Gate-Source Voltage VGS 20 V Continuous Drain Current ID
ki4433dy.pdf
SMD Type IC SMD Type IC P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET KI4433DY Features TrenchFET Power MOSFETS Fast Switching 100% Rg Tested Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Source Voltage VDS -20 V Gate-Source Voltage VGS 8 TA =25 -3.9 -2.9 Continuous Drain Current (TJ =150 ) * ID TA =85 -2.8 -2.1 A Pulsed Drain Current IDM -10 Continuous Sourc
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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