KI4435DY MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI4435DY
Маркировка: 4435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 47 nC
trⓘ - Время нарастания: 76 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: SOP8
KI4435DY Datasheet (PDF)
si4435dy ki4435dy.pdf
SMD Type MOSFETSMD TypeP-Channel MOSFETSI4435DY (KI4435DY)SOP-8 Features VDS=-30V RDS(on)=0.02@VGS=-10V1.50 0.15 RDS(on)=0.035@VGS=-4.5VSS D1 8GS D2 7S D3 6G D4 5DTop View Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitDrain-Source Voltage VDS -30 VGate-Source Voltage VGS 20 VContinuous Drain Current ID
ki4433dy.pdf
SMD Type ICSMD Type ICP-Channel 1.8-V (G-S) MOSFETKI4433DYFeaturesTrenchFET Power MOSFETSFast Switching100% Rg TestedAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State UnitDrain-Source Voltage VDS -20VGate-Source Voltage VGS 8TA =25 -3.9 -2.9Continuous Drain Current (TJ =150 ) * IDTA =85 -2.8 -2.1 APulsed Drain Current IDM -10Continuous Sourc
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD