STE53NA50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE53NA50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STE53NA50 MOSFET
STE53NA50 Datasheet (PDF)
ste53na50.pdf
STE53NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTE53NA50 500 V
ste53nc50.pdf
STE53NC50N-CHANNEL 500V - 0.070 - 53A ISOTOPPowerMeshII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTE53NC50 500V
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History: 2SJ518
History: 2SJ518
Liste
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