STE53NA50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE53NA50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.085 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STE53NA50 MOSFET
STE53NA50 datasheet
ste53na50.pdf
STE53NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STE53NA50 500 V
ste53nc50.pdf
STE53NC50 N-CHANNEL 500V - 0.070 - 53A ISOTOP PowerMesh II MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STE53NC50 500V
Otros transistores... STE36N50-DA , STE36N50-DK , STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , STE47N50 , STE50N40 , AON7410 , STE90N25 , STH10NA50 , STH10NA50FI , STH12N60 , STH12N60FI , STH12NA60 , STH12NA60FI , STH14N50 .
History: STE45N50
History: STE45N50
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2sa818 | 2sa763 | a933 | 2sa818 replacement | irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent